第一百六十一章 SOC上帝芯片问世！第4/4段
“不用客气了。”陈永摆了摆手，看向林天道：“林首席你看现在该怎么弄？”
林天没有急着回答他，而是看向陈星，征求同意道：“总裁，那我可要开始了？”
四块光掩膜版的多重曝光技术，如果一旦演示完成，很有可能让其他工程师学了去，他才会特意征求同意。
要是陈星摇头示意，他是可以留一手的。
然而陈星觉得没这必要，未来肯定还是要靠龙芯国际、蓝绿厂帮忙量产芯片的，多重曝光技术也算是让他们尝些甜头，巩固彼此之间的利益了。
“开始吧。”
陈星淡淡回应。
随着陈星点头，林天开始了他的光刻独秀。
利索打开冯承铭带来的皮箱，露出里面的四块光掩膜版。
因为考虑到表面有灰尘，生产前的第一步就需要清洗，紧接着才是区分光掩膜版型号。
四块光掩膜版不比两块的，它需要区分好顺序，不能出错，出错就相当于毁坏了一张硅片。
龙芯国际也没马虎，四块掩膜版都按照林天当初的要求，标注上的光刻序号。
当生产设备都调试完成，林天大手一挥道：“准备生产，硅片清洗烘干涂胶。”
不等蓝绿厂的工程师行动，冯承铭亲自拿硅片去清洗，并放入烘干的运送设备。
林天则是安装掩膜版，数次校准以后，他讲解道：“第一块光掩膜版可以随意放，因为它是地基，之后的三块光掩膜版，必须要做到每一步都要在预定精度范围，1纳米误差都不行。”
“明白了。”
“明白了。”
周围工程师纷纷应答。
在众人围观下，林天开始启动光刻机，进行第一次的曝光，在硅片上作画图案。
第一次曝光结束。
取出硅片蚀刻清洗，紧接着是第二次涂抹光刻胶，林天用上了第二台光刻机。
第二次曝光很明显，他比第一次专注了许多。
“第二次光刻不能用任何偏差，曝光的图案应该在第一次图案纳米图案的中间位置。”
“这就好比一条主干道，第一次我们是修了这个主干道，第二次就是在这个主干道的中间画上一条两边对称的线。”
没有技巧，全凭经验。
林天启动光刻机，进行第二次的曝光，让光刻胶疲软，紧接着继续用蚀刻溶剂清洗。
每次曝光、蚀刻都会在半导体硅片留下图案，一连四次的曝光让冯承铭等工程师看得目瞪口呆。
最后一次时，林天继续讲解道：“第四次曝光，不仅要进行光刻，还要进行离子注入，增加电导性，说白了，就是你们之前学的单次芯片生产步骤。”
“但重点是，我第三步是先刻画道路的左边，第四步，则是要刻画道路的右边，这样一来，完整的电路图案就显现了。”
简单讲述后，他不断用设备调整光掩膜版，当达到预定位置时，他再次启动光刻机。
光刻机在接收到启动指令后，立即就对12寸半导体，接近三百个芯片裸片进行曝光。
五分钟后。
半导体硅片被取出。
此刻所有人大气不敢喘，冯承铭接过硅片以后，亲自去切割检测参数性能。
当检测仪器显示，该裸片的纳米等级是14纳米，并且电路图完美运行那刻，他强压心中的激动，郑重宣布道：
“成了！”
“soc上帝芯片成了！！！”
感谢读者大佬们的月票和推荐票，感谢读者2022…0433大佬的打赏，还有感谢各位读者大佬的每日追读。
咳咳，刚才复制章节错了，现在改回来了，抱歉。
(本章完)
本章节已阅读完毕(请点击下一章继续阅读!)